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|电大振(c)在Cl2-NDI的1.8nm厚(001)平面中晶体堆积的侧视图。图二、力交量环掺杂对n型单晶FET特性的影响(a)47μm厚Cl2-NDI晶体在暴露于N-硅烷蒸气(100μl,力交量环1h)前后FET ID-VG曲线的变化, 暴露之前(空心方块)和之后(实心圆圈)的。
易最(b)Cl2-NDI和PDIF-CN2的分子结构。文献链接:成交Site-specificchemicaldopingrevealselectronatmospheresatthesurfacesoforganicsemiconductorcrystals(NatureMaterials,2021,10.1038/s41563-021-01079-z)本文由材料人CYM编译供稿。2019年至今,比提担任山东大学晶体材料国家重点实验室教授。
(c,川售电市场升d)掺杂效应σs和VT与晶体台阶密度之间的关系。(b)掺杂前后Cl2-NDI单晶的UPS能谱,|电大振以及对应的能带结构。
如今,力交量环有机半导体p型和n型掺杂在工业上被用于降低有机发光二极管显示器的工作电压。
易最(d)晶体厚度分别为3µm和40µm的Cl2-NDI单晶阶梯密度的AFM图像欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,成交投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信:cailiaokefu.。
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然而,|电大振较厚的电极会阻止电池快速充电,可能会导致不必要的锂镀层,最终导致电池故障。力交量环文献链接:StructuralEvolutionandTransitionDynamicsinLithiumIonBatteryunderFastCharging:AnOperandoNeutronDiffractionInvestigation.Adv.Sci.,2021,DOI:10.1002/advs.202102318.本文由CQR编译。
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